

东微双10寸两分频线阵列全频音箱AS-210F、双10寸线阵列低频音箱AS-210B
AS-210 线阵列系统是中大型、高性价比、高进度线性阵列扬声器系统。采用钕磁高音,高音通透,用 75 高音,声压大衰减少,传送距离远,中频厚实分频点 1.6kHz左右,高音与低音融合点极佳。
次低频扬声器结合了低音倒相系统和号筒扬声器的所有优点:效率高,射程远,下限频率低,声场的耦合通过整个前部平面实现,因而能将正常的空气摩擦失真和点流失真降到最低,能量得到有效传输的同时产生可控脉冲,并且获得最佳动态;
AS-210F 是一款内置两分频三单元全频系统音箱,选用2只高效率 10”(260MM)口径 75MM 音圈 8Ω钕磁低频单元,低频系统为 8Ω,1 只钕磁 75MM 音圈 8Ω高频压缩驱动器;
AS-210B 是一款高性能线性阵列次低频音箱系统,选用两只15 英寸(480mm)铁氧体100MM音圈单元。两者搭配,可组成一套完整无源线阵列系统。中低更干净,饱满而有穿透力,高音采用波阵面高频号筒,镜面控制耦合散波, 减少时间差干扰,中高频具有解析度、层次、亮度、穿透力, 前倒相式设计,独立腔体控制单元相互音染干扰。线性声透镜号角多束独立指向性,保证投射距离及各点声场均匀,多束声波耦合减少号角前室效应。 中低频自然饱满有磁性,中频圆润饱满,中高频亮丽柔顺,声场干净、中频通透,高穿透力,高瞬变、高效率, 人声自然流畅
采用前倒相直接辐射式驱动,单元后置差异式安装配合反射时间差,形成前后频点反射声压在 90°以内正向叠加。 前导向直接辐射式设计,箱体结构配合单元参数计算设计线性次低频响应状态,更有效率好提升中低频声压输出,强劲结实的低频力度,弹性饱满有力,有力的低频穿透及高声压射程; 常规搭配 1+4 为一组(建议阻抗不低于 4 欧)减少整体搭配成本,高性价比系统; 箱优质夹板配合槽楔工艺,箱体强度更加坚固,优化线性箱体结构加强技术,有效的减少箱体驻波音染,使声音更加干净。
东微双10寸两分频线阵列全频音箱AS-210F、双10寸线阵列低频音箱AS-210B 特点:
中大型、高性价比、高进度线性阵列扬声器系统
中高频高解析度、层次、亮度、穿透力
中低频干净,饱满而有穿透力
次低频高声压输出,强劲结实,弹性饱满,有效增加低频穿透力
紧凑性与便携性俱佳
功率传输强,音质清晰度高
密闭式箱体设计让低音下限更为纯净、有力
满足中大型的场地实现高清晰度扩声效果的要求而设计
有效的减少驻波音染,声音更加干净。
| 型号 | AS-210F | AS-210B |
| 名称 | 双10寸两分频线阵列全频音箱 | 双10寸线阵列低频音箱 |
| 频率响应(-10dB) | LF:60Hz -1.6kHz,HF:1.6kHz-18kHz- | 40Hz-200Hz |
| 额定功率 | HF:100W LF:550W | 1200W |
| 峰值功率 | HF:400W LF:2200W | 4800W |
| 灵敏度(1W/1m) | HF:110dB±2dB LF:100dB±2dB | 103 dB±2dB |
| 最大声压级 | HF:连续128 dB±2dB,峰值135 dB±2dB, | 连续129dB±2dB,峰值136dB±2dB |
| LF: 连续125 dB±2dB,峰值128 dB±2dB; | ||
| 覆盖角(HxV) | 90°×10° | 360° |
| 分频方式 | 外置分频 | -- |
| 推荐分频点 | 1.6kHz | -- |
| 阻抗 | HF:8Ω±20% LF: 8Ω±20% | 4Ω±20% |
| 低音单元 | 2×10” 钕磁低音(75mm 音圈) | 2x15”铁氧体超低单元(100mm 音圈) |
| 高音单元 | 1×3” 钕磁高音(75mm 音圈) | -- |
| 模块可调角度 | 0°-12°可调 | -- |
| 吊挂系统 | 金属连接 | 金属连接 |
| 箱体材料 | 多层板,箱体外表面喷漆 | 高硬度多层夹板,水性涂料 |
| 颜色 | 黑色 | 黑色 |
| 输入方式 | 2×NL4音箱插座 | 2×NL4音箱插座 |
| 尺寸(WxDxH) | 840×300×420mm | 840×800×600mm |
| 重量 | 26kg | 80kg |
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